Themendossier Arbeitsspeicher — Memory-Scoreboard

Leitfrage

Wer von den drei großen Memory-Playern hat den überzeugendsten Hebel auf den KI-Zyklus — der reine HBM-Marktführer (SK Hynix), der breit aufgestellte DRAM-Volumenführer im Konglomerat (Samsung) oder der US-gelistete Pure-Play (Micron)? Und welche Dimensionen entscheiden das: HBM-Anteil, Profitabilität, Reinheit des Memory-Geschäfts oder Geopolitik?

Währungsehrlichkeit: Micron berichtet in USD, SK Hynix und Samsung in KRW. Absolute Umsatz-/Gewinnbeträge sind nicht direkt über Währungen hinweg vergleichbar. Das Scoreboard bevorzugt deshalb währungsneutrale Größen (Rang, Marktanteile in %, Margen in %); USD-Näherungen sind als eigene Umrechnung gekennzeichnet.

Steckbriefe

Micron (MU)

USA, Nasdaq · USD. Memory-Pure-Play (DRAM/NAND/HBM), aber der kleinste der drei. DRAM ist der Kern (FY2025: 28,58 von 37,38 Mrd. USD). Im HBM-Markt nur Nr. 3 (~20%), holt mit HBM3E/HBM4 auf — Pure-Play-Vorteil, aber ohne Größenführung.

SK Hynix (000660)

Südkorea, KRW. Memory-Pure-Play plus NAND-Tochter Solidigm. Der reinste KI-HBM-Hebel: klarer HBM-Marktführer (~59%, Sekundärquelle) und Haupt-HBM-Lieferant für NVIDIA. 2025 zeitweise Nr. 1 im DRAM-Umsatz; FY2025-Op.-Marge 49%.

Samsung (005930)

Südkorea, KRW. Konglomerat (Halbleiter/Display/Mobile/Consumer) — kein Pure-Play. DRAM-Volumenführer (Q4 2025 wieder Nr. 1), NAND-Nr. 1. Im strategischen HBM-Segment aber nur Nr. 3 (~20%). Foundry-Verluste verwässern den reinen Memory-Hebel.

Quellen: Micron FY2025 10-K / Q2 FY2026 Results; SK hynix FY25 / 1Q26 Financial Results; Samsung Q4 & FY2025 Results. Marktanteile: Counterpoint / TrendForce (Sekundärquellen). Details in den verlinkten Büchern.

Scoreboard: Dimension für Dimension

Die zentrale Vergleichstabelle. Pro Zeile wird der jeweils Führende benannt (oder „uneindeutig"). Währungsabhängige Größen sind in nativer Währung gehalten, USD-Werte als eigene Umrechnung gekennzeichnet.

Dimension	Micron (MU)	SK Hynix (000660)	Samsung (005930)	Führend
Geschäftsmodell	Memory-Pure-Play (DRAM/NAND/HBM)	Memory-Pure-Play (DRAM/NAND/HBM) + NAND-Tochter Solidigm	Konglomerat: Halbleiter (DS), Display, Mobile, Consumer, Harman	uneindeutig (Profilfrage)
Memory-/Konzerngröße FY2025, reported	37,38 Mrd. USD (reines Memory)	97,15 Bio. KRW (reines Memory; ≈ 64,8 Mrd. USD, eigene Umrechnung)	333,6 Bio. KRW Konzern; DS-Halbleiter Q4 2025 44,0 Bio. KRW	uneindeutig (Währungen / Abgrenzung nicht vergleichbar)
DRAM-Position Marktanteil/Rang, Sekundärquelle	Nr. 3 (~22,4%, Q4 2025)	Nr. 1 Q1–Q3 2025 / Nr. 2 Q4 2025 (~32,1%)	Nr. 1 Q4 2025 (Krone zurückerobert)	Samsung (Q4 2025); SK Hynix führte Q1–Q3
NAND-Position Q3 2025, Umsatz, TrendForce	nicht in Top 4 dieses Rankings (hinter Samsung/SK Hynix/Kioxia/SanDisk) — exakter Anteil hier k. A.	Nr. 2 (~19,3%; SK Group inkl. Solidigm ~21,1% Q2 2025)	Nr. 1 (~32,3%)	Samsung
HBM-Position 2025, das KI-Schlachtfeld	~20% (Nr. 3 ex aequo)	~59% (klare Nr. 1)	~20% (Nr. 3 ex aequo, hinkt hinterher)	SK Hynix
Profitabilität / Marge reported	Zyklisch; Q3 FY2026 non-GAAP-EPS-Guidance 19,15 USD (Mittelpunkt)	FY2025 Op.-Marge 49%, Q1 2026 72%	DS-Halbleiter Q4 2025 Op.-Marge ~37% (16,4 / 44,0); Konzern verwässert auf ~21%	SK Hynix (höchste Op.-Marge)
HBM-Roadmap HBM3E / HBM4	HBM3E im Markt; HBM4 in Entwicklung; ~18% HBM4-Anteilsprognose 2026	HBM3E-Marktführer; HBM4-Massenproduktion ab Q1 2026 vorn (NVIDIA Vera Rubin); ~54% HBM4-Prognose 2026	HBM3E 12-Hi NVIDIA-Qual erst Sept 2025; HBM4-Start Q1 2026; ~28% HBM4-Prognose 2026	SK Hynix
China-/Geopolitik-Exposure	US-Konzern; US-Exportkontrollen; China als Absatzrisiko; CXMT/YMTC-Konkurrenz (siehe Micron/risks.html)	Korea; China-Werke (Wuxi/Dalian); US-Exportkontext; NVIDIA-Klumpenrisiko	Korea; China-Memory-/Foundry-Exposure; breiter geografisch gestreut	uneindeutig
Reiner KI-Memory-Hebel Pure-Play-Vorteil	Pure-Play, aber klein; HBM nur ~20%	Reinster HBM-/KI-Hebel der Big 3	Memory-Hebel real, aber durch Konglomerat (Foundry-Verluste) verwässert	SK Hynix
Investment-Charakter	Pure-Play-Zyklus mit HBM-Option, USD-notiert	Reiner HBM-/KI-Hebel mit NVIDIA-Klumpenrisiko	Sum-of-the-Parts: Memory-Wert gegen Foundry-Verwässerung	uneindeutig (hängt vom Anlageziel ab)

Daten: assets/data/scoreboard.csv. Quellen je Zeile: Geschäftszahlen reported aus FY2025/Q1 2026/Q2 FY2026-Berichten (Micron, SK hynix, Samsung); Marktanteile DRAM/NAND/HBM aus Counterpoint und TrendForce (Sekundärquellen, teils Prognose), klar von Unternehmensdaten getrennt. HBM4-Anteilsprognosen 2026: Branchenberichte (Sekundärquelle). HBM-Umsatz weist keiner der drei Hersteller als eigene Zeile aus.

HBM-Duell — der entscheidende KI-Hebel

HBM (High Bandwidth Memory) ist das KI-Schlachtfeld: gestapelter Hochbandbreiten-DRAM für KI-Beschleuniger, das einzige große Memory-Segment mit klar strukturellem KI-Wachstum (~33% CAGR bis 2030, siehe Zukunft & Treiber). Hier liegt der wichtigste Unterschied der drei Player: SK Hynix führt klar (Haupt-HBM-Lieferant für NVIDIA), während Samsung und Micron aufholen und bei je rund 20% liegen. Wer HBM4 (Massenproduktion ab Q1 2026, NVIDIA Vera Rubin) zuerst und mit besten Margen liefert, entscheidet die nächste Runde.

HBM-Marktanteil 2025 (Sekundärquelle/Prognose)

SK Hynix

~59%

Samsung

~20%

Micron

~20%

HBM-Marktanteil 2025 (Prognose/Schätzung). Quelle: TrendForce (2025) / Counterpoint (Q2 2025) — Sekundärquellen, klar getrennt von Unternehmensdaten. Methodik schwankt: Counterpoint sah SK Hynix in Q2 2025 bei ~62% der Shipments bzw. ~57% des HBM-Umsatzes (Q3 2025); Samsung zeitweise nur ~17%, Micron ~21%. Die hier gezeigten ~59/~20/~20 sind der konsolidierte Jahres-2025-Stand aus den Büchern.

Wettbewerber — die Big 3 und der Rest

Den Memory-Markt teilen sich im Kern die drei oben verglichenen Player. Daneben sind in diesem Dossier weitere gelistete Spezialisten als eigene Bücher erfasst: zwei reine NAND-Player (Kioxia, SanDisk, beide aus demselben Fertigungs-JV) und ein kleiner Commodity-DRAM-Hersteller (Nanya). Strukturelles Risiko für alle ist die subventionierte China-Kapazität (CXMT bei DRAM, YMTC bei NAND) — gebündelt im eigenen China-Unter-Dossier (Markt-/Risikoprofil, nicht investierbar), unternehmensspezifische Belege im Micron-Risikokapitel. Die vorgelagerte Zulieferkette (Equipment, Materialien) ist im eigenen Lieferkette-Unter-Dossier erfasst.

Player	Schwerpunkt	Markt-Position (Sekundärquelle)	Eigenes Buch
SK Hynix	DRAM, HBM, NAND (+ Solidigm)	HBM Nr. 1 (~59%); DRAM zeitweise Nr. 1 2025; NAND Nr. 2 (~19,3%)	SK Hynix (000660)
Samsung	DRAM, NAND, HBM (im Konglomerat)	DRAM Nr. 1 (Q4 2025); NAND Nr. 1 (~32,3%); HBM Nr. 3 (~20%)	Samsung (005930)
Micron	DRAM, NAND, HBM (Pure-Play)	DRAM Nr. 3 (~22,4%); HBM Nr. 3 (~20%)	Micron (MU)
Kioxia	nur NAND/Flash (kein DRAM/HBM)	NAND Nr. 3 (~15,3%, Q3 2025)	Kioxia (285A)
SanDisk	nur NAND/Flash (kein DRAM/HBM)	NAND Nr. 5 (~12,4%, Q3 2025)	SanDisk (SNDK)
Nanya	nur Commodity-/Specialty-DRAM (kein HBM/EUV)	kleiner DRAM-Player (~1%), Technologie-Rückstand	Nanya (2408)
China: CXMT / YMTC	DRAM (CXMT) / NAND (YMTC)	subventionierte Kapazität, Überangebotsrisiko; nicht investierbar	China-Dossier

Marktanteile/Ränge: Counterpoint und TrendForce (Q2/Q3/Q4 2025, Sekundärquellen, teils Prognose), klar getrennt von Unternehmensdaten. NAND-Ranking Q3 2025 nach Umsatz: Samsung ~32,3%, SK Hynix ~19,3%, Kioxia ~15,3%, SanDisk ~12,4% (TrendForce). Nanya-Anteil ~1% ist eine Einordnung; exakter Wert hier nicht separat belegt.

Investments in diesem Teilmarkt

Micron (MU) US-gelisteter Memory-Pure-Play (DRAM/NAND/HBM); These auf der Frage, ob KI-Speicher die Memory-Zyklik genug bricht. SK Hynix (000660) Reinster KI-HBM-Hebel der Big 3 und HBM-Marktführer; These steht und fällt mit HBM-Führung und NVIDIA-Nachfrage. Samsung (005930) DRAM-/NAND-Volumenführer im Konglomerat; Sum-of-the-Parts-Fall mit HBM-Aufholjagd und Foundry-Verwässerung. Kioxia (285A) Reiner NAND-Zyklus-Play mit KI-SSD-Hebel; kein DRAM, kein HBM. NAND Nr. 3. SanDisk (SNDK) US-gelisteter NAND-Pure-Play nach dem WD-Spin-off; teilt das Fertigungs-JV mit Kioxia. NAND Nr. 5. Nanya (2408) Kleiner, stark zyklischer Commodity-DRAM-Player (Taiwan); Zyklus-/Beta-Spiel auf DRAM-Preise ohne KI-Hebel. Lieferkette (Upstream-Dossier) Die Zulieferkette hinter den Herstellern, in Tiers (Equipment, Materialien, Sub-Komponenten) aufgeschlüsselt — mit Investment-Steckbriefen (ASML, Lam, Advantest, Wafer, Gase …). China (Wettbewerb-Dossier) Der chinesische Speicherwettbewerb (CXMT bei DRAM, YMTC bei NAND) als Markt-/Risikoprofil — bewusst nicht investierbar, mit Steckbriefen und Kapazitäts-/Marktanteilsdaten.

Offene Punkte / Recherche-Checkliste

HBM-Marktanteile konsistent halten: Methodik (Shipments vs. Umsatz vs. Jahresprognose) und Stand-Datum dokumentieren — Spannweite SK Hynix ~52,3% (TrendForce-Jahr) bis ~62% (Counterpoint Q2-Shipments).
HBM-Umsatz wird von keinem der drei separat ausgewiesen — als Lücke offen halten; Proxys (Micron CMBU, SK-Hynix-„mehr als verdoppelt") nicht als HBM-Umsatz lesen.
DRAM-Führung wechselt quartalsweise: SK Hynix Q1–Q3 2025 Nr. 1, Samsung Q4 2025 wieder Nr. 1 — bei nächstem Quartal aktualisieren.
Micron-NAND-Anteil/-Rang separat belegen (im Scoreboard aktuell „k. A. — nicht in Top 4 dieses Rankings").
Währungsneutralen Vergleich beibehalten: absolute KRW-/USD-/JPY-/TWD-Beträge nicht unkommentiert mischen; USD-Näherungen als eigene Umrechnung kennzeichnen.
HBM4-Wettlauf (Massenproduktion Q1 2026, NVIDIA Vera Rubin) und Samsung-/Micron-Qualifizierung bei NVIDIA nach jedem Quartal nachziehen.
Samsung-Konzernzahlen sauber von DS-Halbleiter trennen, damit der Memory-Hebel nicht durch Konzernumsatz überzeichnet wird.